TAB®-Langzeitkonservierung

Weltweit einmalige TAB®-Langzeitkonservierung und -lagerung elektronischer Komponenten

Im Rahmen der Langzeitkonservierung und -lagerung bietet HTV z. B. folgende Dienstleistungen an:

  • HTV-TAB®-Verfahren zur Langzeitkonservierung und -lagerung von elektronischen Komponenten wie z. B. Bauteilen, Baugruppen, Displays sowie Wafern und DIEs in Hochsicherheitsgebäuden für bis zu 50 Jahre
  • Zyklische Bestromung von Bauteilen und Baugruppen zur Erhaltung der Funktionsfähigkeit
    (z. B. von Displays oder Kondensatoren)
  • Einlagerung elektronischer Bauteile und Baugruppen in Stickstoff-Drypacks als Alternative für kurze Lagerzeiträume
  • HTV-EverStock® zur kostenlosen Einlagerung und Verkauf von originalverpackten elektronischen Bauteilen aus Kundenüberbeständen
  • Langzeitlagerung und Konservierung wichtiger Dokumente sowie wertvoller, sensibler Schriftstücke mit HTV-PermaDoc®
  • Stücklisten-Obsoleszenzanalyse: Überwachung und Vorhersage der Verfügbarkeit elektronischer Komponenten
Hochsicherheitsgebäude zur Langzeitkonservierung und Langzeitlagerung von elektronischen Bauteilen und Baugruppen
Hochsicherheitsgebäude für die Langzeitkonservierung
Klimakammern im Hochsicherheitsgebäude zur Verhinderung der Alterung bei der Langzeitkonservierung
Einlagerung in spezielle Langzeit Lagerkammern
Weltweit einmaliges TAB Langzeitkonservierungsverfahren

Stetige Weiterentwicklung und neue Features sorgen dafür, dass seitens der Hersteller immer mehr elektronische Bauteile binnen kürzester Zeit abgekündigt und somit obsolet werden. Bedingt durch die hohe Anzahl der Firmenzusammenschlüsse großer Halbleiterhersteller in den vergangenen Jahren werden zudem immer mehr Produktlinien zusammengeführt, was die Zahl der Abkündigungen noch weiter steigen lässt.

Um trotz der daraus resultierenden mangelnden Verfügbarkeit die Produktion, Wartung und Reparatur eigener Produkte und Investitionsgüter sicherzustellen und somit auch deren Lebenszyklen zu verlängern, sollten Verfügbarkeitsrisiken elektronischer Bauteile und Baugruppen möglichst frühzeitig erkannt werden. Nur so ist es möglich, den Handlungsbedarf proaktiv zu planen und immense Kosten (z. B. Redesign Prozess) zu vermeiden.

Die Einlagerung bzw. Bevorratung elektronischer Komponenten ist somit wesentlicher Bestandteil einer vorausschauenden Obsoleszenzstrategie.

Die herkömmliche Lagerung von „Reserve-Komponenten“ in Stickstoff-Drypacks oder Korrosionsschutz-Folien bietet jedoch bestenfalls eine Lösung bis zu 2 Jahren, da u. a. einsetzende Alterungsprozesse, wie beispielsweise die Diffusion, bereits nach 1-2 Jahren die Verarbeitbarkeit und Funktionsfähigkeit der elektronischen Bauteile und Baugruppen gefährden.

Mit dem HTV-TAB®-Verfahren (Thermisch-Absorptive-Begasung) können durch eine spezielle konservierende sowie schadstoffeliminierende Atmosphäre und gezielte individuelle Temperaturreduktion die entscheidenden physikalisch-chemischen Alterungsprozesse elektronischer Bauteile nahezu gestoppt werden, was die Langzeitlagerung für bis zu 50 Jahre ermöglicht.


HTV-TAB®-Langzeitkonservierung

Langzeitkonservierung und-lagerung elektronischer Komponenten

Angewandte Normen

  • DIN EN 62402
  • DIN EN 62435

Das HTV-TAB®-Verfahren (Thermisch Absorptive-Begasung):

Das seit Jahrzehnten bewährte, weltweit einmalige TAB®-Verfahren ermöglicht durch eine spezielle konservierende sowie schadstoffeliminierende Atmosphäre und spezifische Lagerbedingungen eine drastische Reduzierung der entscheidenden physikalisch-chemischen Alterungsprozesse elektronischer Komponenten.

Die TAB Langzeitlagerung verhindert die Alterung elektronischer Bauteile und Baugruppen für Jahrzehnte

Generell ist bei normaler Lagerung die Materialveränderung in den ersten Jahren am schnellsten. Komponenten, die nicht sofort benötigt werden, sollten also möglichst umgehend im TAB®-Verfahren eingelagert werden, um so ein langes Komponentenleben zu ermöglichen!

Diffusion, ein wesentlicher Alterungsfaktor, wird mithilfe von TAB® durch geeignete Veränderung der Lagerungstemperaturen und der damit einhergehenden Erhöhung der sogenannten Aktivierungsenergie stark reduziert. Damit wird beispielsweise das Wachstum der intermetallischen Phase (Diffusion am Bauteilanschluss) zwischen dem Kupfer aus dem Inneren des Bauteilpins in das Zinn der Pinoberfläche drastisch minimiert. Ebenfalls verringert TAB® auch die Alterungsprozesse im Inneren des Bauteils (Diffusion auf Chipebene) stark. Die Korrosions- und Oxidationsbildung wird mit gezielter Absorption von Feuchte, Sauerstoff und materialabhängigen Schadstoffen nahezu vollständig und äußerst langfristig gestoppt. Auch die Gefahren von Whiskern (winzige, aus dem Material herauswachsende Einkristall-Nadeln, die zu Kurzschlüssen auf Leiterplatten oder einzelnen Bauelementen führen können) und Zinnpest werden beherrscht.

Die Verpackung erfolgt schließlich durch mehrere Schichten von verschiedenen bei HTV entwickelten speziellen Funktionsfolien, die das Eindringen von Fremdstoffen verhindern und Absorbereigenschaften für die mannigfaltigsten Schadstoffe besitzen.

Als komplexe Kombination unterschiedlichster Methoden vermeidet bzw. verringert TAB® somit nahezu alle relevanten Alterungsfaktoren.

Je nach Ausgangszustand können elektronische Komponenten damit zurzeit bis zu 50 Jahre eingelagert werden. Die Qualität, Verarbeitbarkeit und Funktionalität und somit auch die Ersatzteilverfügbarkeit der Komponenten ist damit für mehrere Jahrzehnte sichergestellt. Im Rahmen eines strategischen Obsoleszenz Managements verlieren Abkündigungen elektronischer Bauteile damit ihre Brisanz, da im End of Sale/beim Last Time Buy erworbene Bauteile zur Resteindeckung langfristig bevorratet werden können.

Lagerfähigkeit in Abhängigkeit von der Lagermethode

Lagerfähigkeit in Abhängigkeit von der Lagermethode

Effektivität der TAB®-Langzeitkonservierung gegenüber einer herkömmlichen Stickstofflagerung

Exemplarischer Indikator für schädliche Alterungsprozesse ist das Wachstum der intermetallischen Phase, z. B. zwischen äußerer Zinnbeschichtung und Basismaterial der Anschlusspins: Der direkte Vergleich von Bauteilen, die im N2-Drypack gelagert und Bauteilen, die nach TAB® behandelt werden, zeigt bei der REM-EDX-Untersuchung deutliche Unterschiede im Wachstum der intermetallischen Phase.

Während bei einer herkömmlichen Stickstofflagerung eine Zunahme der intermetallischen Phase von ca.1 μm pro Jahr feststellbar ist, lässt sich bei der Lagerung nach TAB® nahezu kein Phasenwachstum feststellen.

Vergleich der Alterung bei der einzigartigen TAB Langzeitlagerung und der herkömmlichen Stickstofflagerung

Bei der Lagerung nach TAB® ist nahezu kein intermetallisches Phasenwachstum feststellbar!

Eine ausführliche Untersuchung und Bewertung der zu lagernden Komponenten im Vorfeld bildet die Basis für die TAB®-Langzeitkonservierung. Hierbei werden die aktuelle Alterungssituation, die vorhandenen Schadstoffe und Risiken mithilfe von umfassenden und hochmodernen Analyseverfahren erfasst und die erforderlichen Parameter für die Langzeitkonservierung der Komponenten ermittelt.

Prozessablauf des TAB®-Verfahrens

Prozessablauf bei der TAB Langzeitkonservierung
Regelmäßige Warenbewertung bei der TAB Langzeitkonservierung

Prozessüberwachung und zyklische Warenbewertung der eingelagerten Komponenten sowie stetige Optimierung der Lagerungsparameter und regelmäßige Analyseberichte stellen höchste Qualität und Transparenz während des gesamten Lagerungsprozesses sicher. Eine Archivierung sämtlicher Daten und Untersuchungsberichte für einen Zeitraum bis mindestens 15 Jahre nach Auslagerung der gesamten Ware ermöglicht eine lückenlose Rückverfolgbarkeit weit über den Lagerungszeitraum hinaus.

Vergleich der Lagerungsverfahren

Vergleich der Lagerungsverfahren
Vergleichstabelle der Lagerungsverfahren mit HTV-TAB®

Alterungsprozesse

Kritische Materialveränderungen und Alterungsprozesse elektronischer Komponenten

Zinnpest an Bauteilen
Zinnpest an Pins
Whiskerbildung
Zinn-Whisker im REM
Lötkontakte mit Korrosion
Korrodierte Lötkontakte

Verschiedenste Alterungsprozesse beeinträchtigen bei normaler Lagerung sowie im Stickstoff-Dry-Pack bereits nach zwei Jahren die Funktionalität (z. B. Daten- und Kapazitätsverluste, Leckströme) und Verarbeitbarkeit (beispielsweise während des Lötprozesses) elektronischer Komponenten.

Sämtliche Alterungsprozesse sind während einer Langzeitlagerung unbedingt zu beachten und durch geeignete Maßnahmen abzusichern.


Diffusionsprozesse

Diffusion ist ein physikalischer Prozess, bei dem sich zwei oder mehrere Stoffe zunehmend vermischen. Die Diffusion beruht auf der thermisch motivierten Eigenbewegung von Teilchen; und zwar Atomen, Ladungsträgern oder Molekülen. Ist die Verteilung dieser Teilchen ungleichmäßig, dann bewegen sich mehr Teilchen aus den Gebieten mit hoher Konzentration in Gebiete mit niedriger Konzentration als umgekehrt. Diesen Transport von Teilchen nennt man Diffusion. Es werden also aufgrund der Wärmebewegung Konzentrationsunterschiede bis zur vollständigen Durchmischung (bzw. Ausgleich) abgebaut.

Diffusionprozesse

Diffussionsprozesse am Beispiel des intermetallischen Phasenwachstums an Bauteilanschlüssen

Diffundiert zum Beispiel bei einem Anschlusspin das Trägermaterial Kupfer oder Kupfereisen in das Zinn, dann entsteht ein ganz neues Material das bronzeähnlich ist (intermetallische Phase). Gelangt diese Durchmischung bis an die Oberfläche, ist ein Verlöten nicht mehr möglich, denn intermetallische Kupfer-Zinn-Phasen weisen Schmelzpunkte von über 400°C auf, die bei typischen Lötprozesstemperaturen von 240 °C bis 280 °C nicht mehr aufgeschmolzen werden können. Das Zinn verbindet sich nicht mehr mit dem Kupfer des Pin-Trägermaterials; die Lotkontaktstelle ist damit löttechnisch nicht mehr zu aktivieren.

Die Diffusion erfolgt selbständig und ohne jegliche fremde Energiezufuhr mit Ausnahme der Temperatur. Der Diffusionsstrom (Ladungsträgerstrom) tritt auch bei Halbleitern am PN-Übergang auf und ist abhängig von der Temperatur, dem Material, der Art der Ladungsträger sowie Konzentrationsunterschieden in der Dotierung der Halbleiter (N- und P- dotierte Bereiche). Durch den Diffusionsstrom entsteht hier zusätzlich ein elektrisches Feld, das einen gegen den Diffusionsstrom fließenden Driftstrom bewirkt, der mit der Zeit zunimmt bis sich schließlich Diffussions- und Driftstrom im Gleichgewichtszustand (stationärer Zustand) vollständig kompensieren.

Diffusion ist also ein thermisch aktivierter Prozess bei dem der Ladungsträgertransport umso schneller wird, je höher die Temperatur ansteigt.
Diffusion findet auch im Bauteilinneren, also auf Chipebene, statt und kann verschiedenste Ursachen und Auswirkungen haben.

Diffusionsgleichungen:

  • Erstes Fick‘sches Gesetz
  • Zweites Fick‘sches Gesetz
  • Arrhenius-Gesetz

Intermetallisches Phasenwachstum verhindert einen zuverlässigen Lötprozess
Bedingt durch die Umstellung auf bleifreie Teile und der in diesem Zuge reduzierten Zinnschicht, kann der Diffusionsbereich, d.h. die intermetallische Phase, je nach Ausgangszustand bereits die Nähe der Beschichtungsoberseite erreichen. Ein zuverlässiger Lötprozess ist dann nicht mehr möglich und das Bauteil nicht mehr sicher verarbeitbar.

Alterung durch Feuchte und Sauerstoff (Korrosion und Oxidation)

Der in konventionellen Stickstoff-Dry-Packs enthaltende Restsauerstoff und möglicherweise vorhandene Feuchtigkeitsgehalt führt zu Oxidations- und Korrosionsprozessen an Bauteilanschlüssen und Kontaktoberflächen bzw. Bond Pads bei Bare-DIEs und Wafern. Zuverlässige Löt- oder Bondverbindungen sind somit nach einiger Zeit erschwert, teilweise sogar unmöglich.

EDX Untersuchung: in die Zinnschicht durchdiffundiertes Kupfer
Linescan von in die Zinnschicht durchdiffundiertem Kupfer
Korrosion am Bautelpin
Korrodierte Pin-Stirnfläche
Korrosion an Bauteilpins
Pins mit Korrosion
Reduktion der Benetzbarkeit durch Oxidation
Auswirkung von Oxidationsprozessen: Reduktion der Benetzbarkeit von QFP100 Bauteilen um ca. 75% nach 3 Jahren Standard-Drypack-Lagerung

Alterung durch Schadstoffe

Ausgasungen von z. B. Additiven wie Weichmachern, Flammschutzmitteln, Lösungsmitteln oder aus Umverpackungen können zur Korrosion von Bauteilanschlüssen und Kontaktoberflächen führen und damit die Lötbarkeit der elektronischen Komponenten negativ beeinträchtigen. Eine Analyse der Belastung des speziellen HTV-Absorptionsmaterials nach unterschiedlichen Lagerzeiten mittels GC-MS zeigt, dass bereits nach 3 Jahren in einem Standard-Drypack mit BGA-Bauteilen eine hohe Belastung mit Schadstoffen wie z. B. Styrol, Toluol, Ethylbenzol, Xylole sowie aromatischen Kohlenwasserstoffen vorliegt.

Ablagerungen durch Schadstoffe
Ablagerung an einer Steckverbinderhülle durch das im Flammschutzmittel enthaltene Phosphor
Schadstoff Phosphor
Nachweis von Phosphor durch EDX-Spektrum

Whiskerbildung

Die Ausbildung von Whiskern (feinste einkristalline Zinnnadeln), häufig resultierend aus mechanischen Spannungen innerhalb der auf dem Leadframe meist galvanisch aufgebrachten Zinnschichten, Korrosions- und Oxidationsschichten auf der Zinnoberfläche oder intermetallischem Phasenwachstum, führt zu einer erheblichen Beeinträchtigung der Funktionalität elektronischer Komponenten. Durch Whisker können Kurzschlüsse zwischen Bauteilanschlüssen und ggf. Fehlfunktionen und Bauteilschädigungen entstehen.

Whiskerbildung
Zinn-Whisker am Bauteilanschluss im REM
Feinste einkristalline Zinnnadeln (Whisker) unterm Mikroskop
Whisker unter dem Lichtmikroskop
Whisker im REM
Whisker im REM


Zinnpest als Alterungsmechanismus bei elektronischen Komponenten

Zinnpest

Silberweißes, metallisches β-Zinn kann sich unterhalb von 13,2 °C in das grauschwarze α-Zinn umwandeln, das über eine andere Kristallstruktur und Dichte verfügt. Da α-Zinn ein größeres Volumen als β-Zinn besitzt, verliert das Material seine Integrität, die Kornstruktur löst sich auf und es entsteht Zinnpulver, das löttechnisch nicht mehr zu aktivieren ist.


Alterungsprozesse bei Baugruppen

Aufgrund der enormen Typenvielfalt und Kombinatorik der Einzelkomponenten zeigen Baugruppen häufig zusätzliche Alterungseffekte, welche die ordnungsgemäße Funktionalität der gesamten Baugruppe gefährden können. Gerade während einer Langzeitlagerung können bereits Ausgasungen aus den verwendeten Lacken und Vergussmassen sowie Rückstände aus dem Lötprozess zu Korrosion und Oxidation an bestückten Komponenten führen. Zusätzlich besteht bei Kondensatoren (insbesondere bei Elektrolytkondensatoren) das Risiko, dass sie während der Lagerung ihre Kapazität ändern oder den Leckstrom erhöhen, was den Totalausfall und damit die Zerstörung der gesamten Baugruppe zur Folge haben kann. Bei LC-oder OLED-Displays ist im Rahmen der Alterung eine signifikante Veränderung der optischen Eigenschaft möglich.

Infobox:
Neben den „klassischen“ Materialveränderungen kann es durch die unterschiedlichen verarbeiteten Materialien stets zu Wechselwirkungen und somit verstärkten Alterungseffekten kommen.

HTV-TAB®-Langzeitkonservierung und -lagerung für Wafer und DIEs

  • Sicherstellung der Qualität, Verarbeitbarkeit und Funktionalität für bis zu 50 Jahre
    durch extreme Verminderung der Alterungsprozesse
  • Handling im Reinraum möglich
  • Zyklischer Pull- und Sheartest zur Überprüfung der Bondfähigkeit der Pads bei Bare-DIEs
  • Mikroskopische Kontrolle von Bare DIEs auf Verunreinigungen, Brüche oder Farbveränderungen
Analyse eines Wafers
Mikroskopische Kontrolle eines Wafers
Weiterverarbeitung der Wafer im Reinraum
Handling von Wafern im Reinraum

Das TAB®-Langzeitkonservierungsverfahren ist auch für Wafer und Bare-DIEs zur langfristigen Sicherstellung von Verarbeitbarkeit und Funktionalität von entscheidender Bedeutung. Durch die drastische Reduktion der Alterungsmechanismen wie z. B. der Wanderung von Atomen auf Chipebene (Diffusionsprozesse), die z. B. zu Leckströmen und damit zu erheblichen Fehlfunktionen führen kann, ist es möglich, Wafer und DIEs, je nach Ausgangssituation, für bis zu 50 Jahre ohne signifikante Qualitätsverluste zu lagern.

Das Handling und die eventuelle Weiterverarbeitung der Ware (z. B. Wafer-Sägen, Bonden und Packaging) in einem Reinraum verhindert bei Bedarf Verunreinigungen und bietet so höchste Qualitätsstandards über den gesamten Einlagerungsprozess hinweg. Zusätzlich kann bei Bare DIEs ein zyklischer Pull- und Sheartest die Bondfähigkeit der Pads dokumentieren. Eine optische Kontrolle, die je nach Kundenwunsch auch bei Wafern durchgeführt wird, ermöglicht die eindeutige Identifizierung von Verunreinigungen, Brüchen oder Farbveränderungen.


HTV-TAB®-Langzeitkonservierung und -lagerung von Baugruppen und Geräten

  • Baugruppenspezifische Alterungsprozesse werden signifikant reduziert
  • Ergänzendes regelmäßiges Anschalten an Betriebsspannung (Bestromung)
  • Verfügbarkeit bereits zertifizierter und bewährter Baugruppen und Geräte ohne zeit- und kostenaufwendigen Redesignprozess je nach Ausgangssituation für bis zu 50 Jahre
Konservierung von Baugruppen

Gründe zur Einlagerung von Baugruppen und Geräten

Neben der Lagerung von Einzelbauteilen ist in vielen Fällen auch die Langzeitkonservierung von kompletten Baugruppen und Geräten eine sinnvolle und manchmal unvermeidliche Option. Im Gegensatz zur Bauteillagerung muss weder Produktionsequipment noch Fertigungs-Know-how vorgehalten werden; die Baugruppen und Geräte sind sofort einsatzbereit und können an Endkunden oder in den Ersatzteilmarkt geliefert werden. Insbesondere für sehr langlebige Produkte mit aufwendig zertifizierten Baugruppen ist die Langzeitlagerung von entscheidender Bedeutung, da im Falle einer Abkündigung alternativ ein eventuell benötigtes Redesign mit großem Zeit- und Kostenaufwand verbunden ist.

Aufgrund der enormen Typenvielfalt und Kombinatorik der Einzelkomponenten zeigen Baugruppen häufig zusätzliche Alterungseffekte, welche die ordnungsgemäße Funktionalität der gesamten Baugruppe gefährden können. Gerade während einer Langzeitlagerung können bereits Ausgasungen aus den verwendeten Lacken und Vergussmassen sowie Rückstände aus dem Lötprozess zu Korrosion und Oxidation an bestückten Komponenten führen. Zusätzlich besteht bei Kondensatoren (insbesondere bei Elektrolytkondensatoren) das Risiko, dass sie während der Lagerung ihre Kapazität ändern oder den Leckstrom erhöhen, was den Totalausfall und damit die Zerstörung der gesamten Baugruppe zur Folge haben kann. Bei LC-oder OLED-Displays ist eine signifikante Veränderung der optischen Eigenschaft möglich.

Regelmäßiges Anschalten an Betriebsspannung
Bestromung einer Baugruppe
regelmäßiges Anschalten an Betriebsspannung automotive Senoren
Bestromung von automotiven Sensoren

TAB®– Langzeitlagerung von Baugruppen und Geräten als Obsoleszenzstrategie

Durch die spezielle konservierende sowie schadstoffeliminierende Atmosphäre und spezifische Lagerbedingungen reduziert TAB® auch baugruppenspezifische Alterungsprozesse signifikant. Ein regelmäßiges Anschalten an Betriebsspannung (Bestromung) ist Teil des TAB®-Verfahrens, da bestromte Baugruppen wesentlich resistenter und zuverlässiger arbeiten, als nur sporadisch und selten genutzte Geräte.

Durch die jahrzehntelange Erfahrung sowie kontinuierliche Forschung und Entwicklung können bei HTV verschiedenste Baugruppen und Geräte durch eine spezielle Adaption mit dem TAB®-Verfahren gelagert und bevorratet werden, z. B.:

Infobox:
Das TAB®-Verfahren stellt die Langzeitkonservierung und -lagerung von Baugruppen und Geräten für aktuell bis zu 50 Jahre sicher; bestehende und bewährte Gerätekonzepte lassen sich so auch zukünftig nutzen.
  • Serversysteme
  • Inverter und Wechselrichter
  • Single-Board-Computer
  • Displays und Monitore
  • Sensorsysteme
  • Baugruppen aus Automatisierungsanlagen
  • Steuer- und Regelungssysteme
  • Automotive Beleuchtungstechnik

Zusätzlicher Vorteil einer zyklischen Bestromung ist die Eliminierung von Frühausfällen: Baugruppen und Geräte, die sonst beim Kunden bereits kurz nach dem Einschalten ausfallen, werden im HTV Labor erkannt und aussortiert.


HTV-TAB®-Langzeitkonservierung und -lagerung von Displays

Besonderheiten bei Displays:

  • Komplexer Verbund verschiedenster Materialien (Klebstoffe, Funktionsfolien, Flüssigkristalle, Leiterplattenmaterial, Ansteuerelektronik, Vergussmasse, OCA-Layer, Flexkabel, etc.)
  • Unvorhersehbare Wechselwirkungen zwischen den einzelnen Komponenten (z.B. Ausgasen von Klebstoffen)
  • Anzeigepixel können ihre Funktion verlieren
  • Veränderung der optischen Eigenschaften (Kontrast, Helligkeit, Farben etc.)
Bestromung Displays
Bestromungsaufbau für Displays
Displaybestromung
Bestromung von Displays
Untersuchung der Leuchtdichteverteilung im HTV Lichtlabor
Inhomogenität bei der Leuchtdichteverteilung eines Displays

Die TAB®-Langzeitkonservierung ist insbesondere auch für Displays, einem wichtigen und sehr stark wachsenden Markt, von essentieller Bedeutung.

Zunehmende Inkompatibilität aufgrund immer kürzerer Innovationszyklen steht hier der Notwendigkeit einer langen Ersatzteilverfügbarkeit gegenüber. Die konventionelle Lagerung ist jedoch bei vielen Displaybestandteilen, wie z.B. den unterschiedlichen Funktionsfolien (z.B. Polarisatorfolie, Streu- und Brechungsfolien) oder den diversen Verklebungen, als sehr kritisch zu beurteilen.
Neben den „klassischen“ Alterungsprozessen elektronischer Komponenten können bei Displays aufgrund des komplexen Verbundes verschiedenster Materialien verstärkte, durch eine Vielzahl an Wechselwirkungen bedingte, Materialveränderungen auftreten.

Displayaufbau

Normale Alterung bei konventioneller Displaylagerung:

Degradationseffekte, Versprödungen und Abbaureaktionen an Kunststoffen sind häufig die Auswirkungen herkömmlicher/unsachgemäßer Lagerung. Aber auch Ausgasungen von Additiven, Weichmachern, Restmonomeren und Stabilisatoren können metallische und Kunststoffkomponenten angreifen und somit die Qualität der Displays negativ beeinflussen.

Beschädigung Display

Diese Wechselwirkungen resultieren weiterführend beispielsweise in einer Reduktion des Kontrasts und Verschiebung der Farbpunkte bis hin zu Defekten an den Klebestellen und einem Ablösen der Orientierungsschicht. Zusätzlich sind z. B. die Anschlusskontakte an angebundenen Flexleiterplatten problematisch.

TAB®-Lagerung von Displays:

Infobox:
Die enge Kooperation mit Forschungsinstituten vertieft das Know-how rund um das Alterungsverhalten neuer Materialien und Technologien wie z. B. OLEDs.

Mithilfe von TAB® können nahezu sämtliche Alterungsprozesse drastisch reduziert werden. Im Rahmen der Langzeitkonservierung von Baugruppen ist zusätzlich zum TAB®-Lagerverfahren eine regelmäßige Inbetriebnahme (Bestromung) erforderlich, um Alterungseffekte, z. B. am Flüssigkristall, an Kondensatoren oder auch Ablagerungen in einer CCF-Hintergrundbeleuchtung, drastisch zu reduzieren. Eine Überprüfung der optischen Parameter, z. B. mittels Spektrometer oder Leuchtdichtekamera, überwacht die Einhaltung und Konstanz der optischen Eigenschaften.

In Kombination mit TAB® kann so eine speziell auf Displays angepasste Langzeitlagerung erreicht werden.


Hochsicherheitsgebäude

Lagerung und Konservierung in extrem sicheren Gebäuden

Eigenschaften des HTV Hochsicherheitsgebäudes:

  • Massives, einbruchsicheres Stahlbetongebäude
  • Besondere brandverhindernde Atmosphäre
  • Aufwendige Alarm- und Kamera-Überwachungssysteme
  • Permanente Aufschaltung zum Wachdienst
  • Einbruchschutzverglasung aller Fenster
  • Elektronische Zugangskontrollen während der Arbeitszeit
  • Zeitgesteuerte Zugangsüberwachung außerhalb der Arbeitszeiten
  • Kontinuierliche Prozessüberwachung
  • Business Continuity Plan
  • Redundante Technik
Hochsicherheitsgebäude zur Langzeitkonservierung und Langzeitlagerung von elektronischen Bauteilen und Baugruppen
Hochsicherheitsgebäude für die Langzeitkonservierung
Lagerkammer für die Langzeitlagerung
Klimakammer im Hochsicherheitsgebäude

Bauteile sicher zu lagern heißt, auch den physikalischen Zugriff unberechtigter Personen wirksam zu verhindern.

Der 2013 um gleich mehrere Anbauten erweiterte ca. 25 Millionen Euro teure HTV Hochsicherheitskomplex, bestehend aus einer Vielzahl speziell voneinander getrennten Kammern zur Einlagerung vor allem elektronischer Bauteile und Baugruppen, ermöglicht durch seine besonderen Eigenschaften neben dem Schutz vor Einbruch auch die Sicherung gegen eine Vielzahl anderer Risiken.

Die einmalige proaktive Stickstoffanreicherung zur Brandverhinderung versetzt die Lagerbereiche in einen unbrennbaren Zustand. Selbst bereits außerhalb entzündete Flammen erlöschen beim Betreten des Schutzbereiches augenblicklich. Aufwendige Sensorik überwacht permanent die Sauerstoffkonzentration und meldet Abweichungen von den Sollwerten.

In Kombination mit dem HTV-TAB®-Verfahren können so
unterschiedlichste Produkte sicher und ohne Qualitätsverluste
für bis zu 50 Jahre eingelagert werden.